シリコンウエハ表面汚染分析

シリコンウエハ表面に存在する汚染はデバイス特性を劣化させ、デバイスの製造歩留まりに大きな影響を与えます。これらの汚染はウエハの製造段階で既に存在するものや、デバイス製造プロセスで付着するものがあり、汚染チェックをする必要がございます。

シリコンウエハ表面汚染分析

気相分解法 誘導結合プラズマ質量分析(ICP-MS)

気相分解法

シリコンウエハ表面上の自然酸化膜や熱酸化膜をテフロン製の密閉容器内でフッ化水素酸の蒸気で溶解させた後、希フッ化水素酸や酸化剤を添加した溶液などでシリコンウエハ表面上を走査し、金属元素を回収する化学的前処理法です。
4インチから12インチまでの大きさのシリコンウエハが対応可能です。
自動回収ですので任意の測定箇所を選択することができます。

測定箇所例:
  • ウエハ表面・裏面の全面
  • ベベル部
  • 任意の局所表面箇所(範囲)
  • ノッチ部
  • ウエハ端面(エッジ部)

誘導結合プラズマ質量分析(ICP-MS)

溶液化した試料を高周波プラズマ(ICP)に導入することで、溶液中の元素をイオン化し、質量分析部(四重極型)で、測定質量数毎に分離された元素の定量・同定を行う装置をICP-MSといいます。
水溶液中のpptレベルの極微量の金属・非金属元素を多元素同時に測定することができます。

四重極ICP-MSを用いて次のような分析を承っております。
  • ウエハ表面・バルク中の不純物分析
  • 石英中に含まれる不純物分析
  • 超純水・高純度試薬中に含まれる不純物分析
  • フォトレジスト中の不純物分析

特徴

  • 10⁸atoms/cm²オーダーの汚染から検出できます(300mmウエハの場合)。
  • 4〜12インチウエハまで対応できます。
  • シリコンウエハ表面全面、あるいは裏面全面に加え任意の局所表面箇所やウエハエッジ部、
    ベベル部、ノッチ部を選択できます。
  • 分析にかかわるすべての操作をクリーンルーム内で行い、分析に使用する器具、試薬は洗浄作業を徹底し、汚染防止対策を図っております。

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