シリコンウエハ表面に存在する汚染はデバイス特性を劣化させ、デバイスの製造歩留まりに大きな影響を与えます。これらの汚染はウエハの製造段階で既に存在するものや、デバイス製造プロセスで付着するものがあり、汚染チェックをする必要がございます。
シリコンウエハ表面上の自然酸化膜や熱酸化膜をテフロン製の密閉容器内でフッ化水素酸の蒸気で溶解させた後、希フッ化水素酸や酸化剤を添加した溶液などでシリコンウエハ表面上を走査し、金属元素を回収する化学的前処理法です。
4インチから12インチまでの大きさのシリコンウエハが対応可能です。
自動回収ですので任意の測定箇所を選択することができます。
溶液化した試料を高周波プラズマ(ICP)に導入することで、溶液中の元素をイオン化し、質量分析部(四重極型)で、測定質量数毎に分離された元素の定量・同定を行う装置をICP-MSといいます。
水溶液中のpptレベルの極微量の金属・非金属元素を多元素同時に測定することができます。